是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP8,.3 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.64 |
最大时钟频率 (fCLK): | 0.1 MHz | 数据保留时间-最小值: | 200 |
耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles | I2C控制字节: | 1010DDDR |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T8 | JESD-609代码: | e3 |
内存密度: | 2048 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 字数: | 256 words |
字数代码: | 256 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 256X8 | 输出特性: | OPEN-DRAIN |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP8,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 串行总线类型: | I2C |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.00425 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
最长写入周期时间 (tWC): | 1 ms | 写保护: | HARDWARE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
24C02A-I/P | MICROCHIP |
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256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 | |
24C02A-I/SL | MICROCHIP |
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256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO14, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-14 | |
24C02AI/SM | MICROCHIP |
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256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8 | |
24C02A-I/SM | MICROCHIP |
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256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8 | |
24C02AI/SN | MICROCHIP |
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256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8 | |
24C02A-I/SN | MICROCHIP |
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256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8 | |
24C02A-IP | MICROCHIP |
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1K/2K/4K 5.0V I 2 C O Serial EEPROMs | |
24C02A-ISL | MICROCHIP |
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1K/2K/4K 5.0V I 2 C O Serial EEPROMs | |
24C02A-ISM | MICROCHIP |
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1K/2K/4K 5.0V I 2 C O Serial EEPROMs | |
24C02A-ISN | MICROCHIP |
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1K/2K/4K 5.0V I 2 C O Serial EEPROMs |