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2111XA

更新时间: 2024-09-16 20:57:59
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
2页 53K
描述
IC 256 X 4 STANDARD SRAM, 1000 ns, PDIP18, Static RAM

2111XA 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.57
最长访问时间:1000 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T18
内存密度:1024 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:18
字数:256 words字数代码:256
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256X4
输出特性:3-STATE可输出:NO
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:NMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUALBase Number Matches:1

2111XA 数据手册

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