5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | R-PSIP-P2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.87 | 击穿电压标称值： | 38.6 V |
| 最大钳位电压： | 54.8 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 20000 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 7 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 33 V | 子类别： | Transient Suppressors |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 20KW33CA | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 33V V(RWM), Bidirectional, |
|
| 20KW33CACOX.120 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| 20KW33CACOX.160 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| 20KW33CACOX.200 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| 20KW33CCOX.120 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| 20KW33CCOX.160 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| 20KW33CCOX.200 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| 20KW33CCOX.250 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| 20KW33COX.120 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| 20KW33COX.160 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
