1ZB47

更新时间： 2024-09-18 22:35:03

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东芝 - TOSHIBA		瞬态抑制器二极管测试
页数	文件大小	规格书
4页	208K
描述
DIODE (CONSTANT VOLTAGE REGULATION)

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1ZB47 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.87
Is Samacsys：	N	最大击穿电压：	51.7 V
最小击穿电压：	42.3 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	最大动态阻抗：	65 Ω
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	最大非重复峰值反向功率耗散：	200 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	47 V
最大重复峰值反向电压：	37.6 V	最大反向电流：	10 µA
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
工作测试电流：	6 mA	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1ZB47TPA2	TOSHIBA	获取价格	DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor
1ZB47TPA3	TOSHIBA	获取价格	DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor
1ZB47TPB5	TOSHIBA	获取价格	DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor
1ZB51	BL Galaxy Electrical	获取价格	ZENER DIODES
1ZB51	TOSHIBA	获取价格	DIODE (CONSTANT VOLTAGE REGULATION)
1ZB51	LGE	获取价格	Zener Diodes
1ZB51	BL Galaxy Electrical	获取价格	51V,1000mW,Zener Diodes
1ZB51TPA2	TOSHIBA	获取价格	DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor
1ZB51TPA3	TOSHIBA	获取价格	DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor
1ZB56	LGE	获取价格	Zener Diodes