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1ZB18TPA3

更新时间: 2024-11-21 18:21:15
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东芝 - TOSHIBA 局域网二极管电视
页数 文件大小 规格书
3页 76K
描述
DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor

1ZB18TPA3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.79
最大击穿电压:19.8 V最小击穿电压:16.2 V
击穿电压标称值:18 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:200 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
认证状态:Not Qualified最大反向电流:10 µA
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1ZB18TPA3 数据手册

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