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1ZB200

更新时间: 2024-11-20 22:07:47
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东芝 - TOSHIBA 瞬态抑制器二极管测试
页数 文件大小 规格书
4页 208K
描述
DIODE (CONSTANT VOLTAGE REGULATION)

1ZB200 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Transferred
包装说明:LEAD FREE, PLASTIC, 3-3F2A, 2 PINReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.67Is Samacsys:N
最大击穿电压:220 V最小击穿电压:180 V
击穿电压标称值:200 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:200 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1 W认证状态:Not Qualified
最大反向电流:10 µA表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1ZB200 数据手册

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