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1ZB200-Y

更新时间： 2024-01-21 07:05:36

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		二极管齐纳二极管
页数	文件大小	规格书
3页	163K
描述
ZENER DIODES

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技术参数
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1ZB200-Y 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.79
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	500 Ω
元件数量：	1	最高工作温度：	150 °C
最大功率耗散：	1 W	标称参考电压：	210 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
最大电压容差：	10%	工作测试电流：	0.5 mA
Base Number Matches：	1

1ZB200-Y 数据手册

GALAXY ELECTRICAL

1ZB6.8 --- 1ZB390

POWER DISSIPATION: 1.0 W

ZENER DIODES

FEATURES

Silicon planar power zener diodes

DO - 41

For use in stabilizing and clipping curcuits with high

power rating.

Standard zener voltage tolerance is ±10%. Add

suffix "A" for ±5% tolerance. Other zener voltage

and tolerances are available upon request.

MECHANICAL DAT A

Case:DO-41

Terminals: Solderable per MIL-STD-202, method 208

Polarity: Cathode band

Marking: Type number

Approx. Weight: 0.35grams.

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.

SYMBOL

VALUE

UNIT

Zener current (see Table "Characteristics")

Pow er dissipation at T_amb=25

Junction temperature

1.0¹⁾

P_tot

T_J

-40---+150

Storage temperature range

T_s

www.galaxycn.com

NOTES: (1) Valid provided that leads at a distance of 10 mm from case are kept at ambient temperature.

BLGALAXY ELECTRICAL

Document Number 0284006

12 3

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