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1ZB20

更新时间: 2024-11-20 22:07:47
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东芝 - TOSHIBA 二极管测试
页数 文件大小 规格书
4页 208K
描述
DIODE (CONSTANT VOLTAGE REGULATION)

1ZB20 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Lifetime Buy包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.68
最大击穿电压:22 V最小击穿电压:18 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大动态阻抗:30 ΩJESD-30 代码:O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:200 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:20 V最大重复峰值反向电压:14 V
最大反向电流:10 µA子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED工作测试电流:10 mA
Base Number Matches:1

1ZB20 数据手册

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