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1SV298H

更新时间： 2024-11-12 05:56:03

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三洋 - SANYO		衰减器
页数	文件大小	规格书
3页	23K
描述
Type Attenuator Applications

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1SV298H 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.36	应用：	ATTENUATOR
配置：	COMPLEX	二极管元件材料：	SILICON
最大二极管正向电阻：	7 Ω	二极管类型：	PIN DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.97 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	3	端子数量：	4
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	50 V
最大反向电流：	0.1 µA	反向测试电压：	50 V
子类别：	Other Diodes	表面贴装：	YES
技术：	POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL

1SV298H 数据手册

Ordering number : ENN*6949

1SV298H

Silicon Epitaxial PIN Diode

1SV298H

π Type Attenuator Applications

Preliminary

Features

Package Dimensions

unit : mm

•

Composite type with 3 diodes contained in the

CPH package currently in use, improving the

mounting efficiency greatly.

• Small interterminal capacitance (C=0.23pF typ).

1307

[1SV298H]

0.4

0.15

Electrical Connection

0.05

1 : Cathode / Cathode

2 : Anode

3 : Anode / Cathode

4 : Anode

1.9

2.9

1 : Cathode/Cathode

2 : Anode

3 : Anode/Cathode

4 : Anode

SANYO : CPH4

Specifications

Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

Reverse Voltage

Forward Current

°C

Allowable Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

150

125

Tstg

--55 to +125

°C

Electrical Characteristics at Ta=25°C

Ratings

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

min

typ

max

Reverse Voltage

Reverse Current

Forward Voltage

=10µA

µA

=50V

0.1

I =50mA

0.92

0.97

Interterminal Capacitance

=50V, f=1MHz

0.23

2400

Ω

I =10µA, f=100MHz

Series Resistance

I =10mA, f=100MHz

Ω

Note)The specifications shown above are for each individual diode.

Marking : VA

Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle

applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's

control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious

physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using

any SANYO products described or contained herein in such applications.

SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that

exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other

parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained

herein.

SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany

TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN

41601 GI IM / No.6949-1/3

12 3

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与1SV298H相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1SV302	KEXIN	获取价格	Silicon Epitaxial Planar Diode
1SV302	TYSEMI	获取价格	High Capacitance Ratio:C2V/C25V=17.5(Typ.) Useful for Small Size Tuner
1SV302	TOSHIBA	获取价格	VARIABLE CAPACITANCE DIODE (CATV TUNING)
1SV303	TOSHIBA	获取价格	VARIABLE CAPACITANCE DIODE (CATV TUNING)
1SV304	TYSEMI	获取价格	High Capacitance Ratio:C1V/C4V=3.0(Typ.) Low Series Resistance:rs=0.27 (Typ.)
1SV304	KEXIN	获取价格	Silicon Epitaxial Planar Diode
1SV304	TOSHIBA	获取价格	VARIABLE CAPACITANCE DIODE (VCO FOR VHF BAND RADIO)
1SV304(T3PIC,F)	TOSHIBA	获取价格	Variable Capacitance Diode, Very High Frequency, 18.3pF C(T), 10V, Silicon, Abrupt
1SV304(TPH3)	TOSHIBA	获取价格	VARACTOR DIODE,SINGLE,19.3PF C(T),DO-215VAR
1SV304_07	TOSHIBA	获取价格	VCO for VHF Band Radio

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