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1SS355-TP

更新时间： 2024-09-27 19:33:59

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	201K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 90V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

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1SS355-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.3	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	90 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

1SS355-TP 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

1SS355

Features

•

High speed switching diode

Surface Mount

For general purpose switching applications

Lead Free Finish/RoHS Compliant("P" Suffix

designates RoHS Compliant. See ordering information)

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

90 Volt

Switching Diode

•

Mechanical Data

SOD-323

•

Marking: A

Polarity: Indicated by Cathode Band

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

Maximum Ratings @ 25°C Unless Otherwise Specified

Maximum RMS Voltage

Maximum Recurrent Peak

Reverse Voltage

V_R

V_RM

V_DC

I_O

Maximum DC Blocking

Maximum Average Forward

Rectified Current

0.1

Peak Forward Surge Current

Operation/Storage Temp.

Range

I_FSM

T, T

0.5

-55 to +150

°C

STG

DIMENSIONS

DIM

INCHES

MIN

NOTE

MAX

.107

.071

.053

.045

.016

.018

.010

.006

MIN

2.30

1.60

1.15

0.80

0.25

0.10

-----

MAX

2.70

1.80

1.35

1.15

0.40

0.45

0.25

0.15

.090

.063

.045

.031

.010

.004

-----

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Maximum Instantaneous

Forward Voltage

V_F

1.20V

I_FM= 100mA;

T_J= 25°C

Maximum Average

Reverse Current

Typical Junction

Capacitance

V_R=80Volts

T_J= 25°C

Measured at

1.0MHz, V_R=6.0V

I_F=10mA

I_R

0.1uA

3.0pF

SUGGESTED SOLDER

PAD LAYOUT

0.074"

Reverse Recovery Time

4nS

V_R= 6V

0.027”

0.022”

www.mccsemi .com

Revision: B

2013/01/01

1 of 2

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1SS355-TP 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
1SS355TE-17	ROHM	功能相似	Switching Diode
1N4448HWS-7-F	DIODES	功能相似	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
1N4448HWS-7	DIODES	功能相似	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE

与1SS355-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1SS355V	RECTRON	获取价格	Reverse Voltage Vr : 90 V;Forward Current Io : 100 mA;Forward Voltage Vf : 1.2 V;Reverse C
1SS355VM	ROHM	获取价格	Switching Diode
1SS355VMFH	ROHM	获取价格	Switching Diode
1SS355VMFH_16	ROHM	获取价格	Switching Diode
1SS355VMTE-17	ROHM	获取价格	Switching Diode
1SS356	NXP	获取价格	RF Manual 16th edition
1SS356	TYSEMI	获取价格	Small mold type. (UMD2) High reliability. Forward current(DC) 100 mA
1SS356	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT PIN DIODE
1SS356	KEXIN	获取价格	Band switching diode
1SS356	ROHM	获取价格	Band switching diode

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