5秒后页面跳转
1SS292T-91 PDF预览

1SS292T-91

更新时间: 2024-11-09 16:53:43
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 76K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.11A, 40V V(RRM), Silicon, DO-34

1SS292T-91 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.84
其他特性:LOW LEAKAGE CURRENT外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.2 V
JEDEC-95代码:DO-34JESD-30 代码:O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流:0.4 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最大输出电流:0.11 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.3 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:40 V最大反向电流:0.01 µA
最大反向恢复时间:0.05 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1SS292T-91 数据手册

  

与1SS292T-91相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS292T-94 ROHM

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.11A, 40V V(RRM), Silicon, DO-34
1SS292T-95 ROHM

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.11A, 40V V(RRM), Silicon, DO-34
1SS293 TOSHIBA

获取价格

DIODE (LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING)
1SS293_07 TOSHIBA

获取价格

Low Voltage High Speed Switching
1SS294 KEXIN

获取价格

LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING
1SS294 SEMTECH

获取价格

SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE
1SS294 TOSHIBA

获取价格

DIODE (LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING)
1SS294 TYSEMI

获取价格

Small package Low forward voltage: VF(3) = 0.54 V(Typ).Low reverse current: IR = 5A(Max).
1SS294 EIC

获取价格

Schottky Barrier Rectifiers
1SS294 SWST

获取价格

肖特基二极管