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1SS294

更新时间： 2024-01-01 15:27:04

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2页	146K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE

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1SS294 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	260
处于峰值回流温度下的最长时间：	10

1SS294 数据手册

1SS294

SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE

Features

• Small surface mounting type

• Low reverse current

• Low forward voltage

Marking Code: "XM"

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Maximum Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

Symbol

Value

Unit

V_RM

V_R

I_O

Average Forward Current

Maximum Peak Forward Current

Power Disspation

100

300

I_FM

P_D

T_j

150

Junction Temperature

125

Storage Temperature Range

- 55 to + 125

T_stg

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

V_F

Max.

0.6

Unit

Forward Voltage

at I_F= 100 mA

Reverse Current

at V_R= 40 V

I_R

µA

Total Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

C_T

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 30/01/2007

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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