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1SS181(T5LTST,F)

更新时间: 2024-02-02 06:58:04
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 快速恢复二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 203K
描述
0.1A, 85V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

1SS181(T5LTST,F) 技术参数

生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.65
应用:FAST RECOVERY配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.2 VJESD-30 代码:R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流:2 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C最大输出电流:0.1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大功率耗散:0.225 W
参考标准:AEC-Q101最大重复峰值反向电压:85 V
最大反向电流:0.5 µA最大反向恢复时间:0.004 µs
反向测试电压:80 V表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

1SS181(T5LTST,F) 数据手册

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1SS181  
Fig.1 Reverse recovery time (t ) test circuit  
rr  
2
2014-03-01  

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