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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.55 V |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值正向电流： | 1 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最大输出电流： | 0.2 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 40 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1PS59SB21T/R | NXP |
获取价格 |
DIODE SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236, Signal Diode |
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| 1PS66SB17 | NXP |
获取价格 |
4 V, 30 mA low Cd Schottky barrier diode |
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| 1PS66SB17 | NEXPERIA |
获取价格 |
4 V, 30 mA low capacitance Schottky barrier diodeProduction |
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| 1PS66SB17,115 | NXP |
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1PS66SB17 - 4 V, 30 mA low capacitance Schottky barrier diode SOT 6-Pin |
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| 1PS66SB62 | PHILIPS |
获取价格 |
Diode, |
|
| 1PS66SB62,115 | NXP |
获取价格 |
1PS66SB62 |
|
| 1PS66SB63 | NXP |
获取价格 |
5 V, 20 mA low Cd Schottky barrier diodes |
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| 1PS66SB82 | NXP |
获取价格 |
15 V, 30 mA low Cd Schottky barrier diodes |
|
| 1PS66SB82 | NEXPERIA |
获取价格 |
15 V, 30 mA low Cd Schottky barrier diodesProduction |
|
| 1PS66SB82,115 | NXP |
获取价格 |
1PS66SB82; 1PS88SB82 - 15 V, 30 mA low Cd Schottky barrier diodes SOT 6-Pin |
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