是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-7 |
包装说明: | O-LALF-W2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.32 |
其他特性: | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | ZENER DIODE | 最大动态阻抗: | 2200 Ω |
JEDEC-95代码: | DO-204AA | JESD-30 代码: | O-LALF-W2 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.417 W |
认证状态: | Not Qualified | 标称参考电压: | 180 V |
子类别: | Voltage Reference Diodes | 表面贴装: | NO |
技术: | ZENER | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 最大电压容差: | 10% |
工作测试电流: | 0.68 mA | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N991A-1E3TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 180V V(Z), 10%, 0.417W, Silicon, Unidirectional, DO-204AA, HERMETIC SEALED, G | |
1N991AD7E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 180V V(Z), 10%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, | |
1N991AE3(DO7) | MICROSEMI |
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Zener Diode, 180V V(Z), 10%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-7, DO-7, 2 PIN | |
1N991AE3TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 180V V(Z), 10%, 0.417W, Silicon, Unidirectional, DO-204AA, HERMETIC SEALED, G | |
1N991AHR-PBF | DIGITRON |
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Zener Diode, 180V V(Z), 10%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35 | |
1N991B | TAK_CHEONG |
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500 mW DO-35 Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators | |
1N991B | CENTRAL |
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SILICON ZENER DIODE 6.8 VOLTS THRU 200 VOLTS 500mW, 5% TOLERANCE | |
1N991B | YEASHIN |
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500 mW DO-35 Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators | |
1N991B | MICROSEMI |
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SILICON 500 mW ZENER DIODES | |
1N991B | GOOD-ARK |
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0.5W SILICON ZENER DIODES |