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1N991BUR-1E3

更新时间: 2024-11-12 14:31:55
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
6页 365K
描述
Zener Diode, 180V V(Z), 5%, 0.5W

1N991BUR-1E3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:O-LELF-R2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.47外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:2200 Ω
最大正向电压 (VF):1.3 VJEDEC-95代码:DO-213AA
JESD-30 代码:O-LELF-R2膝阻抗最大值:7100 Ω
元件数量:1最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):260极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W标称参考电压:180 V
最大反向电流:0.5 µA反向测试电压:137 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:Pure Matte Tin (Sn)
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:30电压温度Coeff-Max:198 mV/ °C
最大电压容差:5%工作测试电流:0.68 mA
Base Number Matches:1

1N991BUR-1E3 数据手册

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