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1N991B

更新时间: 2024-10-27 22:34:59
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美高森美 - MICROSEMI 稳压二极管齐纳二极管测试
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2页 96K
描述
SILICON 500 mW ZENER DIODES

1N991B 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-7
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.08
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:2200 ΩJEDEC-95代码:DO-7
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
膝阻抗最大值:7100 Ω元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:180 V最大反向电流:5 µA
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED电压温度Coeff-Max:198 mV/ °C
最大电压容差:5%工作测试电流:0.68 mA
Base Number Matches:1

1N991B 数据手册

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