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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.63 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 6.2 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 电压温度Coeff-Max： | 0.031 mV/ °C |
| 最大电压容差： | 5% | 工作测试电流： | 7.5 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N829AT/R | NXP |
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DIODE 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Vo |
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| 1N829ATA | MOTOROLA |
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6.2V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE |
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| 1N829ATA2 | MOTOROLA |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon |
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| 1N829ATR | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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| 1N829ATR-1 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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| 1N829ATR-1-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
|
| 1N829ATR-1-2 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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| 1N829ATR-2 | MICROSEMI |
获取价格 |
6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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| 1N829AUR | MICROSEMI |
获取价格 |
6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated Surface Mount Zener Reference Diodes |
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| 1N829AUR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated Surface Mount Zener Reference Diodes |
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