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Datasheet > 二极管 > 齐纳二极管> 1N827DIE
1N827DIE PDF预览

1N827DIE

更新时间： 2024-09-16 13:03:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管温度补偿测试
页数 文件大小 规格书
2页 115K
描述
Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.84%, 0.5W, Silicon, DIE

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1N827DIE 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIE
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.62
Is Samacsys：N其他特性：METALLURGICALLY BONDED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODE元件数量：1
最大功率耗散：0.5 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：6.2 V技术：ZENER
电压温度Coeff-Max：0.062 mV/ °C最大电压容差：4.84%
Base Number Matches：1

1N827DIE 数据手册

 浏览型号1N827DIE的Datasheet PDF文件第2页 
TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http://www.microsemi.com  
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland  
Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298  
ZENER DIODE  
– Monolithic Temperature Compensated Zener Reference Chips  
– All Junctions Completely Protected with Silicon Dioxide  
– Electrically Equivalent to 1N821 Thru 1N829  
– Compatible with all Wire Bonding and Die Attach Techniques with  
the Exception of Solder Reflow  
Qualified per MIL-PRF-19500/159  
DEVICES  
QUALIFIED LEVELS  
1N821  
1N823  
1N825  
1N827  
1N829  
JANHC  
JANKC  
(For 1N821 thru 1N829)  
MAXIMUM RATING AT 25°C  
Operating Temperature:  
Storage Temperature:  
-65°C to +175°C  
-65°C to +175°C  
REVERSE LEAKAGE CURRENT  
IR = 2μA @ 25°C & VR = 3Vdc  
A
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C, unless otherwise specified)  
T
TYPE  
NUMBER  
ZENER  
VOLTAGE  
ZENER  
TEST  
MAXIMUM  
ZENER  
-55° to +100°  
VOLTAGE  
EFFECTIVE  
TEMPERATURE  
COEFFICIENT  
CURRENT IMPEDANCE TEMPERATURE  
STABILITY  
VZT @ IZT  
VOLTS  
5.9 – 6.5  
5.9 – 6.5  
5.9 – 6.5  
5.9 – 6.5  
5.9 – 6.5  
IZT  
mA  
7.5  
7.5  
7.5  
7.5  
7.5  
ZZT (Note 1)  
3VZT (Note 2)  
OHMS  
15  
mV  
96  
48  
19  
9
% / °C  
0.01  
1N821  
1N823  
1N825  
1N827  
1N829  
15  
0.005  
0.002  
0.001  
0.0005  
15  
15  
15  
5
NOTE:  
1. Zener impedance is derived by superimposing on IZT A 60Hz rms a.c. current equal to 10%  
of IZT.  
2. The maximum allowable change observed over the entire temperature range i.e., the diode  
voltage will not exceed the specified mV at any discrete temperature between the  
established limits, per JEDEC standard No.5  
LDS-0071 Rev. 2 (101557)  
Page 1 of 2  
12

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与1N827DIE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N827RL MOTOROLA

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 		6.2V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE
1N827RL2 MOTOROLA

获取价格

 		Zener Diode, 6.2V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon
1N827T/R NXP

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 		DIODE 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Vo
1N827TA MOTOROLA

获取价格

 		6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE
1N827TA2 MOTOROLA

获取价格

 		6.2V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE
1N827TR MICROSEMI

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 		6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated
1N827TR-1 MICROSEMI

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 		6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated
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 		6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated
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 		6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated

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