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1N825-1

更新时间: 2024-11-22 22:37:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管温度补偿
页数 文件大小 规格书
2页 80K
描述
6.2 & 6.55 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES

1N825-1 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-7
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.22
其他特性:METALLURGICALLY BONDED外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-19500/159M标称参考电压:6.2 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max:0.124 mV/ °C最大电压容差:5%
Base Number Matches:1

1N825-1 数据手册

 浏览型号1N825-1的Datasheet PDF文件第2页 

1N825-1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N825A-1 MICROSEMI

完全替代

6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated
1N829-1 MICROSEMI

完全替代

6.2 & 6.55 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES
1N827A MICROSEMI

类似代替

6.2 & 6.55 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES

与1N825-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N825-1(DO35) ETC

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0TC Reference Voltage Zener
1N825-1-1 MICROSEMI

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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated
1N825-1-1% MICROSEMI

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暂无描述
1N825-1-1%E3 MICROSEMI

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Zener Diode
1N825116 NXP

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DIODE 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34, Voltage Reference Diode
1N825-1-2 MICROSEMI

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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated
1N825153 NXP

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DIODE 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34, Voltage Reference Diode
1N825-1TR MICROSEMI

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Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.84%, 0.5W, Silicon, DO-204AA, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-7, 2 PI
1N825-2 MICROSEMI

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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated
1N8255 SSDI

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4 - 6 AMP SUBMINIATURE HYPERFAST RECOVERY RECTIFIER 100 - 200 VOLTS 30 nsec