是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-7 |
包装说明: | O-LALF-W2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.22 |
其他特性: | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | ZENER DIODE | JEDEC-95代码: | DO-35 |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散: | 0.5 W | 认证状态: | Not Qualified |
参考标准: | MIL-19500/159M | 标称参考电压: | 6.2 V |
表面贴装: | NO | 技术: | ZENER |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
电压温度Coeff-Max: | 0.124 mV/ °C | 最大电压容差: | 5% |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
1N825A-1 | MICROSEMI |
完全替代 |
6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated | |
1N829-1 | MICROSEMI |
完全替代 |
6.2 & 6.55 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES | |
1N827A | MICROSEMI |
类似代替 |
6.2 & 6.55 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N825-1(DO35) | ETC |
获取价格 |
0TC Reference Voltage Zener | |
1N825-1-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated | |
1N825-1-1% | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 | |
1N825-1-1%E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode | |
1N825116 | NXP |
获取价格 |
DIODE 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34, Voltage Reference Diode | |
1N825-1-2 | MICROSEMI |
获取价格 |
6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated | |
1N825153 | NXP |
获取价格 |
DIODE 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34, Voltage Reference Diode | |
1N825-1TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.84%, 0.5W, Silicon, DO-204AA, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-7, 2 PI | |
1N825-2 | MICROSEMI |
获取价格 |
6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated | |
1N8255 | SSDI |
获取价格 |
4 - 6 AMP SUBMINIATURE HYPERFAST RECOVERY RECTIFIER 100 - 200 VOLTS 30 nsec |