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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N825-1-1 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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| 1N825-1-1% | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| 1N825-1-1%E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode |
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| 1N825116 | NXP |
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DIODE 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34, Voltage Reference Diode |
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| 1N825-1-2 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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| 1N825153 | NXP |
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DIODE 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34, Voltage Reference Diode |
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| 1N825-1TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.84%, 0.5W, Silicon, DO-204AA, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-7, 2 PI |
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| 1N825-2 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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| 1N8255 | SSDI |
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4 - 6 AMP SUBMINIATURE HYPERFAST RECOVERY RECTIFIER 100 - 200 VOLTS 30 nsec |
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| 1N8255ASMS | SSDI |
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6 A, 100 V Subminiature Hyperfast Recovery Rectifier |
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