5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, DO-35, GLASS PACKAGE-2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.44 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-204AH |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 0.075 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大重复峰值反向电压： | 50 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6858UR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCHOTTKY BARRIER DIODES |
|
| 1N6858UR-1 | CDI-DIODE |
获取价格 |
SCHOTTKY BARRIER DIODES |
|
| 1N6858UR-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.075A, 50V V(RRM), Silicon, DO-213AA, ROHS COMPLIAN |
|
| 1N68A | NJSEMI |
获取价格 |
GERMANIUM DIODE |
|
| 1N68B | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Schottky 20V 0.075A 2-Pin DO-35 |
|
| 1N69 | NJSEMI |
获取价格 |
GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
|
| 1N6910UTK2CSE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 25A, 15V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N6910UTK2E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 25A, 15V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N6911UTK2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 25A, 30V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N6911UTK2ASE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 25A, 30V V(RRM), Silicon, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
