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1N6912UTK2ASE3

更新时间: 2024-11-28 14:39:11
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 256K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 25A, 45V V(RRM), Silicon,

1N6912UTK2ASE3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.7
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.64 V
JESD-30 代码:S-CSSO-G1JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:400 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:25 A封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:SQUARE封装形式:SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压:45 V最大反向电流:1200 µA
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

1N6912UTK2ASE3 数据手册

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