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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | GERMANIUM | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 0.08 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 20 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.3 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N695X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 20V V(RRM), Germanium, |
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| 1N697 | NJSEMI |
获取价格 |
FAST RECTIIFIER |
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| 1N69A | NJSEMI |
获取价格 |
GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
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| 1N70 | UTC |
获取价格 |
1.2A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 1N70 | NJSEMI |
获取价格 |
GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
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| 1N70_11 | UTC |
获取价格 |
1.2A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 1N702 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 2.6V V(Z), 10%, 0.25W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-35, 2 PIN |
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| 1N702 | HITACHI |
获取价格 |
Zener Diode, 2.6V V(Z), 23%, 0.25W |
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| 1N702 | TI |
获取价格 |
2.6V, 0.25W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
|
| 1N702(DO7) | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 2.6V V(Z), 10%, 0.25W, Silicon, Unidirectional, DO-7, DO-7, 2 PIN |
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