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1N6911UTK2E3

更新时间: 2024-11-29 06:55:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 256K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 25A, 30V V(RRM), Silicon,

1N6911UTK2E3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.71
应用:GENERAL PURPOSE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.54 VJESD-30 代码:S-CXSO-N2
JESD-609代码:e3最大非重复峰值正向电流:400 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:25 A
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE最大重复峰值反向电压:30 V
最大反向电流:1200 µA表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:NO LEAD端子位置:UNSPECIFIED
Base Number Matches:1

1N6911UTK2E3 数据手册

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