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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.92 | 应用： | ULTRA FAST RECOVERY |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 300 A |
| 相数： | 1 | 最大输出电流： | 40 A |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大反向恢复时间： | 0.08 µs | 端子面层： | TIN LEAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6715GE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 40A, Silicon, X-STRAP |
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| 1N6715GR | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 40A, Silicon, X-STRAP |
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| 1N6715GRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 40A, Silicon, X-STRAP |
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| 1N6716 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 40A, Silicon, |
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| 1N6716E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 40A, Silicon, |
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| 1N6716G | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 40A, Silicon, X-STRAP |
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| 1N6716GE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 40A, Silicon, X-STRAP |
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| 1N6716GR | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 40A, Silicon, X-STRAP |
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| 1N6716GRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 40A, Silicon, X-STRAP |
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| 1N6723 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 7.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, SLU |
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