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1N6639US

更新时间： 2024-11-11 22:13:47
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管开关计算机
页数 文件大小 规格书
1页 37K
描述
300 mAmp 75-100 Volts 4 nsec Computer Switching Diode

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1N6639US 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：HERMETIC SEALED, GLASS, D-5D, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.1外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.2 V
JESD-30 代码：O-LELF-R2JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：2.5 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：0.3 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大反向电流：0.1 µA
最大反向恢复时间：0.004 µs表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：WRAP AROUND
端子位置：END处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1N6639US 数据手册

  
1N6639  
1N6640  
1N6641  
FEATURES  
·
·
·
·
·
·
·
Available in axial leaded and surface mount configurations  
300 mAmp  
75-100 Volts  
4 nsec  
Ultra Fast Reverse Recovery Time  
Very low Capacitance  
Metallurgically Bonded  
Non-cavity glass package  
Computer  
Switching Diode  
Available as JANTX, JANTXV and JANS per MIL-S-19500/609  
Replacement for 1N4150 Types  
MAXIMUM RATINGS @ 25°C  
MECHANICAL  
CHARACTERISTICS  
Type  
Reverse  
Voltage  
Working  
Peak  
Operating  
Current  
Peak  
Forward  
Surge  
Current  
(see note 2)  
Thermal  
Resistance  
Junction  
to Lead  
(L=.375”)  
Thermal  
Resistance  
Junction  
to Case  
Operating  
and Storage  
Temperature  
Number  
Reverse  
Voltage  
(see note 1)  
IO  
CASE STYLE: Axial Leaded  
Part Numbers  
VBR  
VRWM  
IFSM  
RqJL  
RqJC  
TOP & Tstg  
CASE: Voidless Hermetically Sealed Hard Glass  
LEAD: Solder dipped Copper Clad Steel  
MARKING: Body Painted, Alpha Numeric  
POLARITY: Cathode Band  
Volts  
100  
100  
75  
75  
75  
Volts  
75  
75  
50  
50  
mA  
300  
300  
300  
300  
300  
300  
Amps  
2.5  
2.5  
2.5  
2.5  
°C/W  
160  
160  
160  
160  
160  
160  
°C/W  
50  
50  
50  
50  
°C  
-65 to +175  
-65 to +175  
-65 to +175  
-65 to +175  
-65 to +175  
-65 to +175  
1N6639  
1N6639US  
1N6640  
1N6640US  
1N6641  
1N6641US  
50  
50  
2.5  
2.5  
50  
50  
75  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C  
Type Number  
Maximum Forward Voltage  
MaximumD.C. Reverse Current  
VF@IF  
IR  
VR=75V  
TA=25°C  
nA  
100  
100  
VR=50V  
TA=25°C  
nA  
VR=75V  
TA=150°C  
mA  
100  
100  
VR=50V  
TA=150°C  
mA  
V@ 200mA  
V@ 500mA  
1.2V  
1.2V  
1N6639  
1N6639US  
1N6640  
1N6640US  
1N6641  
1.0V  
1.0V  
1.1  
100  
100  
100  
100  
100  
100  
100  
100  
1.1  
1N6641US  
Type Number  
Reverse  
Recovery  
Time  
(note 3)  
trr  
Maximum Forward Recovery  
Voltage and Time  
Maximum Junction Capacitance  
f=1MHz  
Vsig=50mV(p-p)  
If=50mA, tr = 1ns  
Vfr  
Volts  
5.0  
tfr  
ns  
10  
VR=0V  
pf  
VR = 10 V  
ns  
4
pf  
2.5  
1N6639  
4
4
4
5
5
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
10  
10  
10  
10  
10  
2.5  
2.5  
2.5  
3.0  
3.0  
1N6639US  
1N6640  
1N6640US  
1N6641  
CASE STYLE: Surface Mount-US  
END CAP MATERIAL: Solid Silver  
END CAP STYLE: Square  
POLARITY: Cathode Dot on End Cap  
1N6641US  
Note:  
(1) At maximum end cap temperature=110°C for US suffix types. Derate at 4.6mA/°C above end cap  
temperature=110°C. Derate axial types at 3.0mA/°C above ambient temperature temperature=25°C.  
(2) Test Pulse = 8.3ms, half sine wave  
(3) IF= IR =10mA & I(REC)=1.0mA  
Microsemi Santa Ana· 2830 S. Fairview Street· Santa Ana, California 92704 · Tel: (714) 979-8220  
DATA SHEET #: MSC0133A REVISED: 1/25/96  
1

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1N6639US 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV1N6639US MICROSEMI

完全替代

 SWITCHING DIODES
JANTX1N6639US MICROSEMI

完全替代

 SWITCHING DIODES
JAN1N6639US MICROSEMI

类似代替

 SWITCHING DIODES

与1N6639US相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N6639USE3 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5D, 2 PIN
1N663A NJSEMI

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 		GENERAL PURPOSE DIFFUSED SILICON PLANAR DIODES
1N6640 MICROSEMI

获取价格

 		300 mAmp 75-100 Volts 4 nsec Computer Switching Diode
1N6640 CDI-DIODE

获取价格

 		SWITCHING DIODES
1N6640 SENSITRON

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 		SIGNAL OR COMPUTER DIODE
1N6640609C ETC

获取价格

 		SIGNAL OR COMPUTER DIODE
1N6640D2A SEME-LAB

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 		SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
1N6640D2B SEME-LAB

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 		SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
1N6640HRS ETC

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 		暂无描述
1N6640HRV MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, Silicon, DO-35,

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