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1N6536

更新时间： 2024-09-27 21:21:03

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		二极管
页数	文件大小	规格书
1页	95K
描述
Rectifier Diode, 1A, Silicon,

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1N6536 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.55
外壳连接：	ISOLATED	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e0	端子数量：	2
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.03 µs	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N6536 数据手册

Manufacture Diodes, IGBTs, LED Driver, Small Signal & Analog, RF Po... Page 1 of 1

RFQ/Sample

1N6536

(#4963)

Package

Ultra Fast Rectifier (less than 100ns)

Division

Mil-Spec

Shipping

Datasheet

(none)

Ireland

(none) Spice Data

(none) Qual Data

(none)

Contact Microsemi

Maximum Electrical Rating

Output Current

Symbol

Max Unit

Reverse Voltage

400

rwm

Electrical Rating

Symbol Min Typ Max Unit

Forward Voltage

1.5 V

(IF=1 A, T =25 ºC,300µs pulse) V 1

(IF=1 A, T =25 ºC)

V 2

Reverse Leakage Current

10 µA

=400 V, T =25 ºC)

rwm

Reverse Breakdown Voltage

440

(I =1000 µA)

Junction Capacitance

50 pF

(T =25 ºC)

Reverse Recovery Time

30 nsec

http://www3.microsemi.com/catalog/part.asp?ID=4963

12/1/2014

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1N6536 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
1N4004	TAITRON	功能相似	GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER
1N4004G	TAITRON	功能相似	1.0A GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER

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1N6538	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1A, Silicon
1N6539	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1A, Silicon
1N6540	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1A, Silicon,
1N6541	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1A, Silicon
1N6542	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1A, Silicon
1N6543	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, Silicon,
1N6543E3	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, Silicon,
1N6544	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, Silicon,
1N6544E3	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, Silicon,