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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.61 |
| 应用： | ULTRA FAST RECOVERY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 3 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大反向恢复时间： | 0.1 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6548E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, Silicon, |
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| 1N6549 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, Silicon, |
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| 1N6549E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, Silicon, |
|
| 1N658 | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Diodes |
|
| 1N658A | ETC |
获取价格 |
silicon diode |
|
| 1N658R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N658X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N659 | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Diodes |
|
| 1N659 | NJSEMI |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE DIFFUSED SILICON PLANAR DIODES |
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| 1N659A | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 25V 2-Pin DO-7 |
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