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1N65A

更新时间: 2023-09-24 09:31:01
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NJSEMI /
页数 文件大小 规格书
1页 136K
描述
DIODE 0.5A 2DIE

1N65A 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.73Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:GERMANIUM二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.08 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:80 V
最大反向电流:50 µA表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1N65A 数据手册

  

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