生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.73 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | GERMANIUM | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1 V | JESD-30 代码: | O-LALF-W2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 最大功率耗散: | 0.08 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 80 V |
最大反向电流: | 50 µA | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N65A_15 | UTC |
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N-CHANNEL POWER MOSFET | |
1N65AG-AA3-R | UTC |
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N-CHANNEL POWER MOSFET | |
1N65AG-T92-B | UTC |
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0.5A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
1N65AG-T92-K | UTC |
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0.5A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
1N65AG-T92-R | UTC |
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0.5A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
1N65AL-T92-B | UTC |
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0.5A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
1N65AL-T92-K | UTC |
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0.5A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
1N65AL-T92-R | UTC |
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0.5A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
1N65G | UMW |
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漏源电压(Vdss):650V;持续漏极电流(Id)(在25°C时):1A(Tc);栅极- | |
1N65G-AA3-R | UTC |
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1.2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |