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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.73 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 0.2 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 120 V |
| 最大反向电流： | 0.05 µA | 最大反向恢复时间： | 0.3 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N659 | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Diodes |
|
| 1N659 | NJSEMI |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE DIFFUSED SILICON PLANAR DIODES |
|
| 1N659A | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 25V 2-Pin DO-7 |
|
| 1N659R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 60V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N659X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 60V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N65A | UTC |
获取价格 |
0.5A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 1N65A | NJSEMI |
获取价格 |
DIODE 0.5A 2DIE |
|
| 1N65A_15 | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 1N65AG-AA3-R | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 1N65AG-T92-B | UTC |
获取价格 |
0.5A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
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