5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.75 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 60 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N659X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 60V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N65A | UTC |
获取价格 |
0.5A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 1N65A | NJSEMI |
获取价格 |
DIODE 0.5A 2DIE |
|
| 1N65A_15 | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 1N65AG-AA3-R | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 1N65AG-T92-B | UTC |
获取价格 |
0.5A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 1N65AG-T92-K | UTC |
获取价格 |
0.5A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 1N65AG-T92-R | UTC |
获取价格 |
0.5A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 1N65AL-T92-B | UTC |
获取价格 |
0.5A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 1N65AL-T92-K | UTC |
获取价格 |
0.5A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
