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1N6481/25

更新时间： 2024-11-14 14:39:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 321K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-213AB, PLASTIC PACKAGE-2

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1N6481/25 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-213AB
包装说明：PLASTIC PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.21
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-213AB
JESD-30 代码：O-PELF-N2元件数量：1
端子数量：2最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：240
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：400 V
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：END处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

1N6481/25 数据手册

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1N6478 thru 1N6484  
Vishay General Semiconductor  
Surface Mount Glass Passivated Junction Rectifier  
®
Major Ratings and Characteristics  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
IR  
1.0 A  
50 V to 1000 V  
30 A  
10 µA  
*
VF  
1.1 V  
d
e
t
n
Tj max.  
175 °C  
e
t
a
P
*Glass-plastic encapsulation  
is covered by  
DO-213AB  
Patent No. 3,996,602,  
brazed-lead assembly to  
Patent No. 3,930,306  
Features  
Mechanical Data  
• Superectifier structure for high reliability  
condition  
Case: DO-213AB, molded epoxy over glass body  
Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating  
• Patented glass-plastic encapsulation technique  
• Ideal for automated placement  
• Low forward voltage drop  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high  
reliability grade (AEC Q101 qualified)  
• Low leakage current  
Polarity: Two bands indicate cathode end - 1st band  
denotes device type and 2nd band denotes repetitive  
peak reverse voltage rating  
• High forward surge capability  
• Meets environmental standard MIL-S-19500  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020C  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds  
Typical Applications  
For use in general purpose rectification of power sup-  
plies, inverters, converters and freewheeling diodes  
for consumer, automotive and Telecommunication  
Maximum Ratings  
(TA = 25 °C unless otherwise noted)  
Standard recovery time device: 1st band is White Symbol 1N6478 1N6479 1N6480 1N6481 1N6482 1N6483 1N6484 Unit  
Polarity color bands (2nd Band)  
Gray  
50  
Red  
100  
Orange Yellow  
Green  
600  
Blue  
800  
Violet  
1000  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
1.0  
30  
V
V
V
A
A
Maximum RMS voltage  
35  
50  
70  
420  
600  
560  
800  
700  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current  
100  
1000  
IF(AV)  
IFSM  
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
Maximum full load reverse current, full cycle  
average at TA = 75 °C  
IR(AV)  
100  
µA  
°C  
Operating junction and storage temperature range TJ, TSTG  
- 65 to + 175  
Document Number 88527  
06-Sep-05  
www.vishay.com  
1
1234

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与1N6481/25相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N648-1E3 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
1N6481-E3 VISHAY

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 		DIODE 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2, Signal Di
1N6481-E3/96 VISHAY

获取价格

 		Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R
1N6481-HE3 VISHAY

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 		DIODE 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2, Signal Di
1N6481-HE3/96 VISHAY

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 		DIODE 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Sign
1N6482 VISHAY

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 		SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER
1N6482-E3 VISHAY

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 		DIODE 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2, Signal Di
1N6482-E3/97 VISHAY

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 		STD RECOVERY RECTFR 600V 1A 2PIN DO-213AB - Tape and Reel
1N6482-HE3 VISHAY

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