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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-PALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.26 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-7 | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 0.4 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 400 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.2 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN (315) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N647UR-1 | MICROSEMI |
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SILICON RECTIFIER |
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| 1N647UR-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
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| 1N647X | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, |
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| 1N648 | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 500V V(RRM) |
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| 1N648 | NJSEMI |
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Si Rectifier |
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| 1N648 | MICROSEMI |
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Silicon Switching Diode DO-35 Glass Package |
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| 1N648 | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 500V V(RRM), Silicon, DO-7 |
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| 1N6480 | VISHAY |
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SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER |
|
| 1N6480/25 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-213AB, PLASTIC PACKAGE-2 |
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| 1N6480-E3/96 | VISHAY |
获取价格 |
Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-213AB T/R |
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