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Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> 1N6375RL4
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1N6375RL4

更新时间： 2024-01-06 17:05:54
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安森美 - ONSEMI 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 80K
描述
1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors

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1N6375RL4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.68
Is Samacsys：N其他特性：EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, HIGH RELIABILITY, LOW IMPEDANCE
最小击穿电压：11.7 V外壳连接：ISOLATED
最大钳位电压：16.7 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值反向功率耗散：1500 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：5 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：10 V子类别：Transient Suppressors
表面贴装：NO技术：ZENER
端子面层：MATTE TIN端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1N6375RL4 数据手册

 浏览型号1N6375RL4的Datasheet PDF文件第1页浏览型号1N6375RL4的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1N6375RL4的Datasheet PDF文件第4页浏览型号1N6375RL4的Datasheet PDF文件第5页浏览型号1N6375RL4的Datasheet PDF文件第6页浏览型号1N6375RL4的Datasheet PDF文件第7页 
1N6373 − 1N6381 Series (ICTE−5 − ICTE−36, MPTE−5 − MPTE−45)  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak Power Dissipation (Note 1)  
P
PK  
1500  
W
@ T ≤ 25°C  
L
Steady State Power Dissipation @ T ≤ 75°C, Lead Length = 3/8″  
P
D
5.0  
20  
W
mW/°C  
L
Derated above T = 75°C  
L
Thermal Resistance, Junction−to−Lead  
R
20  
°C/W  
q
JL  
Forward Surge Current (Note 2)  
I
200  
A
FSM  
@ T = 25°C  
A
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
− 65 to +175  
°C  
J
stg  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit  
values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied,  
damage may occur and reliability may be affected.  
1. Nonrepetitive current pulse per Figure 5 and derated above T = 25°C per Figure 2.  
A
2. 1/2 sine wave (or equivalent square wave), PW = 8.3 ms, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.  
*Please see 1N6382 – 1N6389 (ICTE−10C − ICTE−36C, MPTE−8C − MPTE−45C) for Bidirectional Devices.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless  
I
A
otherwise noted, V = 3.5 V Max. @ I (Note 3) = 100 A)  
F
F
I
F
Symbol  
Parameter  
I
Maximum Reverse Peak Pulse Current  
Clamping Voltage @ I  
PP  
V
C
PP  
V
C
V V  
BR RWM  
V
Working Peak Reverse Voltage  
RWM  
V
I
V
F
R
T
I
R
Maximum Reverse Leakage Current @ V  
I
RWM  
V
Breakdown Voltage @ I  
Test Current  
BR  
T
I
T
QV  
Maximum Temperature Variation of V  
I
PP  
BR  
BR  
I
F
Forward Current  
V
F
Forward Voltage @ I  
F
Uni−Directional TVS  
http://onsemi.com  
2
 
12345678

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与1N6375RL4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N6375RL4G ONSEMI

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 		1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors
1N6375TRE3 MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 10V V(RWM), Unidirectional,
1N6376 VISHAY

获取价格

 		TRANSZORB® Transient Voltage Suppressors
1N6376 DIGITRON

获取价格

 		Transient Voltage Suppressor, Uni-directional; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 1500;
1N6376 PROTEC

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon
1N6376 TAITRON

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 		Trans Voltage Suppressor Diode,
1N6376 MOTOROLA

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 		Zener Transient Voltage Suppressors Unidirectional and Bidirectional
1N6376 FREESCALE

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 		Zener Transient Voltage Suppressors Unidirectional and Bidirectional
1N6376 NJSEMI

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 		1500 WATT LOW CLAMPING FACTOF TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSO
1N6376 MDE

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 		GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

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