5秒后页面跳转
1N6356 PDF预览

1N6356

更新时间: 2024-11-28 22:37:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 93K
描述
TRANSIENT ABSORPTION ZENER

1N6356 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-13包装说明:O-MALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.72最小击穿电压:6 V
击穿电压标称值:6 V外壳连接:CATHODE
最大钳位电压:7.5 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-202AAJESD-30 代码:O-MALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:5 V
最大反向电流:300 µA子类别:Transient Suppressors
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N6356 数据手册

 浏览型号1N6356的Datasheet PDF文件第2页 

1N6356 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
ICT-5 MICROSEMI

完全替代

TRANSIENT ABSORPTION ZENER
MPT-5 MICROSEMI

类似代替

TRANSIENT ABSORPTION ZENER

与1N6356相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N6356C MICROSEMI

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 5V V(RWM), Bidirectional,
1N6356CTRE3 MICROSEMI

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 5V V(RWM), Bidirectional,
1N6356E3 MICROSEMI

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
1N6356E3TR MICROSEMI

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
1N6356HR DIGITRON

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode
1N6356MPT-5 MICROSEMI

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-1
1N6356TR MICROSEMI

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
1N6357 MICROSEMI

获取价格

TRANSIENT ABSORPTION ZENER
1N6357 PROTEC

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon,
1N6357 LITTELFUSE

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-1