5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-MEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.65 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | O-MEDB-N2 | JESD-609代码： | e3 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 1500 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 20.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6280CTR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 19.4V V(RWM), Bidirectional, |
|
| 1N6280CTRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 19.4V V(RWM), Bidirectional, |
|
| 1N6280E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Unidirectional & Bidirectional Transient Voltage Suppressors |
|
| 1N6280-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 19.4V V(RWM), Unidirectional, |
|
| 1N6280-E3/1 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 19.4V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| 1N6280-E3/100 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 19.4V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, P |
|
| 1N6280-E3/4 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 19.4V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| 1N6280-E3/4E | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 19.4V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, P |
|
| 1N6280-E3/4F | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 19.4V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, P |
|
| 1N6280-E3/4H | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 19.4V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, P |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
