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1N6122AUS

更新时间: 2024-11-04 20:19:03
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
6页 411K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 35.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5B, E-MELF-2

1N6122AUS 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:MELF
包装说明:O-LELF-R2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.31
其他特性:HIGH RELIABILITY最小击穿电压:44.7 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LELF-R2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:500 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:2 W认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-19500/516最大重复峰值反向电压:35.8 V
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:TIN LEAD端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N6122AUS 数据手册

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