5秒后页面跳转
1N6123A PDF预览

1N6123A

更新时间: 2024-11-03 22:36:51
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管
页数 文件大小 规格书
2页 109K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

1N6123A 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:1.94其他特性:HIGH RELIABILITY
最小击穿电压:48.5 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:2 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:38.8 V
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N6123A 数据手册

 浏览型号1N6123A的Datasheet PDF文件第2页 

1N6123A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV1N6123A MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JANTX1N6123A MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6123A MICROSEMI

类似代替

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

与1N6123A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N6123AE3 MICROSEMI

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 38.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH
1N6123APHR DIGITRON

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode
1N6123AUS SEMTECH

获取价格

500W Bipolar Transient Voltage Suppressor Surface Mount (US)
1N6123AUS SENSITRON

获取价格

Transient Voltage Suppressor Diode, 500W
1N6123AUSS SENSITRON

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon,
1N6123AUSV SENSITRON

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon,
1N6123AUSX SENSITRON

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon,
1N6123US SEMTECH

获取价格

500W Bipolar Transient Voltage Suppressor Surface Mount (US)
1N6123US SENSITRON

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 38.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE
1N6123US MICROSEMI

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 38.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HER