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1N6115AE3

更新时间: 2024-02-26 02:12:49
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美高森美 - MICROSEMI 二极管瞬态抑制器
页数 文件大小 规格书
6页 436K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 18.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, B PACKAGE-2

1N6115AE3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:O-LALF-W2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.69其他特性:HIGH RELIABILITY
最小击穿电压:8.65 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e3最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:2 W
最大重复峰值反向电压:6.9 V表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:MATTE TIN
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N6115AE3 数据手册

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