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1N6115AUS

更新时间： 2024-11-09 06:17:43
品牌 Logo 应用领域
商升特 - SEMTECH 瞬态抑制器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 118K
描述
500W Bipolar Transient Voltage Suppressor Surface Mount (US)

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1N6115AUS 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active包装说明：O-XELF-N2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
Factory Lead Time：17 weeks风险等级：5.27
Is Samacsys：N其他特性：METALLURGICALLY BONDED
最小击穿电压：22.8 V击穿电压标称值：22.8 V
外壳连接：ISOLATED最大钳位电压：33.3 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：O-XELF-N2
JESD-609代码：e0最大非重复峰值反向功率耗散：500 W
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：1.5 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：18.2 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：YES
技术：ZENER端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：END
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1N6115AUS 数据手册

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1N6102US thru 1N6137US  
1N6103AUS thru 1N6137AUS  
500W Bipolar Transient Voltage Suppressor Surface Mount (US)  
POWER DISCRETES  
Description  
Features  
Quick reference data  
‹ Low dynamic impedance  
‹ Hermetically sealed non-cavity construction  
‹ 500 watt peak pulse power  
‹ 1.5W continuous  
VBR MIN = 6.12 -180V  
VRWM = 5.2 - 152V  
VC (max) = 11 - 273V  
I(BR) 1N6102 - 1N6137 = 5mA - 175mA  
These products are qualified to MIL-PRF-19500/516  
and are preferred parts as listed in MIL-HDBK-5961.  
They can be supplied fully released as JANTX and  
JANTXV versions.  
Electrical Specifications  
Electrical specifications @ TA = 25°C unless otherwise specified.  
Device  
Type  
Minimum  
Test  
Working  
Maximum Maximum Maximum  
Temp.  
Coeff. of  
V(BR)  
Maximum  
Reverse  
Breakdown Current Pk. Reverse Reverse  
Clamping Pk. Pulse  
Voltage  
I(BR)  
Voltage  
VRWM  
Current  
IR1  
Voltage  
VC @ IP  
Current IP  
TP = 1mS  
Current  
V
(BR) @ I(BR)  
α
IR2 @ 150°C  
(VZ)  
Volts  
mA  
Volts  
5.2  
µA  
Volts  
11.0  
Amps  
45.4  
%/°C  
0.05  
µA  
1N6102  
6.12  
175  
100  
4,000  
1N6103  
1N6103A  
1N6104  
1N6104A  
1N6105  
1N6105A  
1N6106  
1N6106A  
1N6107  
1N6107A  
1N6108  
1N6108A  
1N6109  
1N6109A  
1N6110  
6.75  
7.13  
7.38  
7.79  
8.19  
8.65  
9.0  
175  
175  
150  
150  
150  
150  
125  
125  
125  
125  
100  
100  
100  
100  
75  
5.7  
5.7  
6.2  
6.2  
6.9  
6.9  
7.6  
7.6  
8.4  
8.4  
9.1  
9.1  
9.9  
9.9  
11.4  
11.4  
12.2  
12.2  
50  
50  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
11.8  
11.2  
12.7  
12.1  
14.0  
13.4  
15.2  
14.5  
16.3  
15.6  
17.7  
16.9  
19.0  
18.2  
21.9  
21.0  
23.4  
22.3  
42.4  
44.6  
39.4  
41.3  
35.7  
37.3  
32.9  
34.5  
30.7  
32.0  
28.2  
29.6  
26.3  
27.5  
22.8  
23.8  
21.4  
22.4  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.07  
0.07  
0.07  
0.07  
0.07  
0.07  
0.08  
0.08  
0.08  
0.08  
0.08  
0.08  
750  
750  
500  
500  
300  
300  
200  
200  
200  
200  
150  
150  
150  
150  
100  
100  
100  
100  
9.50  
9.9  
10.45  
10.8  
11.4  
11.7  
12.35  
13.5  
14.25  
14.4  
15.2  
1N6110A  
1N6111  
75  
75  
1N6111A  
75  
Revision: May 3, 2006  
1
www.semtech.com  
1234

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1N6115AUS 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANS1N6115AUS SEMTECH

完全替代

 Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 18.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N6115AUSE3 MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 18.2V V(RWM), Bidirectional,
1N6115AUSS SENSITRON

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1N6115AUSV SENSITRON

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