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1N6115USE3

更新时间: 2024-01-31 14:10:22
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 424K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 18.2V V(RWM), Bidirectional,

1N6115USE3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.39
击穿电压标称值:21.66 V最大钳位电压:34.9 V
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE极性:BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压:18.2 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YESBase Number Matches:1

1N6115USE3 数据手册

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