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1N6116AUS

更新时间: 2024-02-27 09:42:19
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
6页 411K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 20.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5B, E-MELF-2

1N6116AUS 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:MELF
包装说明:O-LELF-R2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.28
Is Samacsys:N最小击穿电压:25.7 V
击穿电压标称值:25.7 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:37.4 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LELF-R2最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:2 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:20.6 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N6116AUS 数据手册

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