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1N6103USE3

更新时间: 2024-11-20 14:05:23
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
6页 424K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 5.7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,

1N6103USE3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:O-MELF-R2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.39最小击穿电压:7.13 V
击穿电压标称值:6.78 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:11.8 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-MELF-R2JESD-609代码:e3
最大非重复峰值反向功率耗散:500 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):250极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:5 W最大重复峰值反向电压:5.7 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:PURE MATTE TIN
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

1N6103USE3 数据手册

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