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1N6103

更新时间: 2024-02-18 04:25:18
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器
页数 文件大小 规格书
2页 109K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

1N6103 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.77
最小击穿电压:6.75 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-LELF-R2
最大非重复峰值反向功率耗散:500 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:2 W认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-19500表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N6103 数据手册

 浏览型号1N6103的Datasheet PDF文件第2页 

1N6103 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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1N6103AE3 MICROSEMI

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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 5.7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS
1N6103APPBF DIGITRON

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Trans Voltage Suppressor Diode
1N6103AUS SENSITRON

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1N6103AUS SEMTECH

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1N6103AUS MICROSEMI

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