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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-92 | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.57 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 50 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 650 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 15 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 2 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N60AG-B-T92-K | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 650V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| 1N60AG-T92-B | UTC |
获取价格 |
0.5A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 1N60AG-T92-K | UTC |
获取价格 |
0.5A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 1N60AG-TM3-T | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| 1N60AG-TN3-R | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 1N60AG-x-T92-B | UTC |
获取价格 |
0.5 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET |
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| 1N60AG-x-T92-K | UTC |
获取价格 |
0.5 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET |
|
| 1N60AL-AA3-R | UTC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
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| 1N60AL-A-T92-B | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 600V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 1N60AL-B-T92-B | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 650V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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