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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DO-35 |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.31 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 0.03 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 40 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.001 µs | 表面贴装： | NO |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N60AR | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| 1N60A-T92-R | UTC |
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Transistor |
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| 1N60AX | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 40V V(RRM), Germanium |
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| 1N60-B-AA3-B | UTC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 650V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 1N60BDO7 | NJSEMI |
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Diode Schottky 40V 0.03A 2-Pin DO-35 Bulk |
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| 1N60BK | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.05A, 100V V(RRM), Germanium, DO-7 |
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| 1N60BKLEADFREE | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.05A, 100V V(RRM), Germanium, DO-7 |
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| 1N60-B-TA3-T | UTC |
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Transistor |
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| 1N60-B-TB3-T | UTC |
获取价格 |
Transistor |
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| 1N60-B-TF3-T | UTC |
获取价格 |
Transistor |
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