Datasheet > 1N5820

1N5820

更新时间： 2024-11-25 22:37:39

品牌	Logo	应用领域
德欧泰克 - DIOTEC		/
页数	文件大小	规格书
2页	172K
描述
Schottky Barrier Rectifiers

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

1N5820 数据手册

1N 5820 … 1N 5822

Schottky Barrier Rectifiers

Schottky-Barrier-Gleichrichter

Nominal current – Nennstrom

3 A

Ø 4.5^±0.1

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

20…40 V

~ DO-201

1 g

Plastic case

Kunststoffgehäuse

Weight approx. – Gewicht ca.

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Ø 1.2^±0.05

Standard packaging taped in ammo pack

see page 16

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

siehe Seite 16

Dimensions / Maße in mm

Maximum ratings and Characteristics

Grenz- und Kennwerte

Type

Typ

Repetitive peak reverse voltage

Period. Spitzensperrspannung

V_RRM[V]

Surge peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM[V]

Forward voltage

Durchlaßspannung

V_F[V] ¹)

1N 5820

1N 5821

1N 5822

< 0.85

< 0.90

< 0.95

Max. average forward rectified current, R-load

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last

T_A= 50ꢀC

f > 15 Hz

T_A= 25ꢀC

I_FAV

3 A ²)

15 A ¹)

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

I_FRM

I_FSM

i²t

Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle

150 A

Rating for fusing, t < 10 ms

Grenzlastintegral, t < 10 ms

110 A²s

Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

– 50…+150ꢀC

T_S– 50…+175ꢀC

)

I_F= 9 A, T_j= 25ꢀC

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

182

28.02.2002

中文翻译

下载PDF

1N5820 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SB320	DIOTEC	类似代替	Schottky Barrier Rectifiers
MBR320	EIC	功能相似	Schottky Barrier Rectifiers
1N5820	CENTRAL	功能相似	3A,20V Through-Hole Rectifier-Schottky (>=1A) Single

与1N5820相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N5820/100	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 20V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC
1N5820/100-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5820/1-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5820/4E	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 20V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC
1N5820/4-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5820/4E-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5820/4F	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 20V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC
1N5820/4F-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5820/4G	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 20V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC
1N5820/4G-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

与1N5820相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

45
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

34
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

62
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

59

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

1N5820

1N5820 数据手册

1N5820 替代型号

与1N5820相关器件

与1N5820相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

1N5820

1N5820 数据手册

1N5820 替代型号

与1N5820相关器件

与1N5820相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？