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1N5820/1-E3

更新时间： 2024-11-26 14:47:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
2页 20K
描述
DIODE 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

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1N5820/1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-201AD
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.59
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-201ADJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：80 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：20 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：MATTE TIN端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

1N5820/1-E3 数据手册

 浏览型号1N5820/1-E3的Datasheet PDF文件第2页 
1N5820 thru 1N5822  
Vishay Semiconductors  
formerly General Semiconductor  
Schottky Barrier Rectifier  
Reverse Voltage 20 to 40V  
Forward Current 3.0A  
DO-201AD  
Features  
• Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-0  
1.0 (25.4)  
Min.  
• Low power loss, high efficiency  
• For use in low voltage high frequency inverters,  
free wheeling, and polarity protection applications  
0.210 (5.3)  
0.190 (4.8)  
Dia.  
• Guardring for overvoltage protection  
Mechanical Data  
0.375 (9.5)  
0.285 (7.2)  
Case: JEDEC DO-201 AD molded plastic body  
Terminals: Plated axial leads, solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
High temperature soldering guaranteed:  
250°C/10 seconds 0.375” (9.5mm) lead length,  
5lbs. (2.3kg) tension  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Mounting Position: Any  
1.0 (25.4)  
Min.  
0.052 (1.32)  
0.048 (1.22)  
Dia.  
Weight: 0.04 oz., 1.12 g  
Packaging codes/options:  
1/Bulk - 1.5K per container, 15K per box  
4/1.4K per 13” reel, 5.6K per box  
23/1K per ammo mag., 9K per box  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Maximum Ratings and Thermal Characteristics (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbols  
VRRM  
VRMS  
VDC  
1N5820  
1N5821  
1N5822  
40  
Units  
* Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
20  
30  
V
V
V
V
14  
21  
28  
* Maximum DC blocking voltage  
* Non-repetitive peak reverse voltage  
20  
30  
40  
VRSM  
24  
36  
48  
* Maximum average forward rectified current  
0.375" (9.5mm) lead length at TL=95°C  
IF(AV)  
3.0  
A
* Peak forward surge current, 8.3ms single  
half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method) at TL=75°C  
IFSM  
80  
A
RθJA  
RθJL  
40  
10  
Typical thermal resistance (2)  
*Storage temperature range  
°C/W  
°C  
TJ, TSTG  
-65 to +125  
Electrical Characteristics (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbols  
1N5820  
0.475  
1N5821  
0.500  
1N5822  
0.525  
Units  
V
* Maximum instantaneous forward voltage at 3.0 (1)  
* Maximum instantaneous forward voltage at 9.4 (1)  
* Maximum average reverse current at rated TA=25°C  
VF  
VF  
0.850  
0.900  
0.950  
V
2.0  
20  
mA  
DC blocking voltage (1)  
TA=100°C  
IR  
*JEDEC registered values  
Notes:  
(1) Pulse test: 300µs pulse width, 1% duty cycle  
(2) Thermal resistance from junction to lead vertical P.C.B. mounted, 0.500"  
(12.7mm) lead length with 2.5 x 2.5” (63.5 x 63.5mm) copper pad  
Document Number 88526  
1-Jul-02  
www.vishay.com  
1
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5820/4E VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 20V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC
1N5820/4-E3 VISHAY

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 		DIODE 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5820/4E-E3 VISHAY

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 		DIODE 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5820/4F VISHAY

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1N5820/4F-E3 VISHAY

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1N5820/4G-E3 VISHAY

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1N5820/4H VISHAY

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1N5820/51 VISHAY

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