1N5819WB

更新时间： 2024-01-31 12:02:56

品牌	Logo	应用领域
EIC		二极管
页数	文件大小	规格书
1页	43K
描述
SCHOTTKY BARRIER DIODES

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

1N5819WB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.56
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.45 W
最大重复峰值反向电压：	40 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N5819WB 数据手册

Certificate TH97/10561QM

Certificate TW00/17276EM

SCHOTTKY BARRIER DIODES

1N5817WB - 1N5819WB

SOD-123

2.7

2.6

PRV : 20 - 40 Volts

IO : 1.0 Ampere

MECHANICAL DATA :

* Case : SOD-123

* Weight : 0.01 gram (approximately)

* 1N5817WB Marking Code : A0

* 1N5818WB Marking Code : ME

* 1N5819WB Marking Code : SR

3.9

3.7

Dimensions in millimeters

Absolute Maximum Rating (Ta = 25 °C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

DC Reverse Voltage

1N5817WB

V_R

1N5818WB

1N5819WB

I_O

P_tot

T_J

Average Rectified Output Current

Power Dissipation

1.0

°C

450

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

-55 to + 150

T_STG

°C

Electrical Characteristics (Ta = 25 °C )

Min

Typ

Max

Unit

Parameter

Symbol

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 1 mA

1N5817WB

1N5818WB

1N5819WB

1N5817WB

1N5818WB

1N5819WB

1N5817WB

1N5818WB

1N5819WB

1N5817WB

1N5818WB

1N5819WB

V_BR

at V_R= 20 V

Reverse Leakage Current

at V_R= 30 V

at V_R= 40 V

at V_R= 4 V

at V_R= 6 V

at I_F= 0.1 A

at I_F= 1.0 A

I_R

0.050

0.075

0.45

0.55

0.60

0.750

0.875

0.900

120

Forward Voltage

V_F

at I_F= 3.0 A

Diode Capacitance at V_R= 4 V, f = 1MHz

C_D

Page 1 of 1

Rev. 01 : August 22, 2006

下载PDF

与1N5819WB相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N5819WS	KEXIN	Schottky Barrier Diodes	获取价格
1N5819WS	TYSEMI	For use in low voltage, high frequency inverters Free wheeling, and polarity protection ap	获取价格
1N5819WS	SUNMATE	Rectifier device Schottky Diode	获取价格
1N5819X	MICROSEMI	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon	获取价格
1N581X	STMICROELECTRONICS	LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER	获取价格
1N581XLB	CYSTEKEC	1.0Amp Silicon Schottky Barrier Rectifiers	获取价格